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　　国产刻蚀机已在成熟制程实现突破，但高端领域仍面临多重替代难点。从先进制程技术壁垒来看，3D NAND芯片的构建高度依赖沉积与刻蚀工艺，无论是已量产的64层、128层产品，还是研发中的超300层产品，均通过增加堆叠层数提升性能，这对刻蚀设备的高深宽比刻蚀能力提出严苛要求。目前，3D NAND 100:1以上高深宽比刻蚀技术仍被泛林集团独家垄断，国内设备在该领域的良率与稳定性亟待提升。更深层次的壁垒在于长期工艺积累形成的生态闭环，泛林集团与三星、美光等全球头部存储厂商深度协同，历经多代3D NAND产品迭代持续优化刻蚀工艺，形成深度绑定，而国内设备厂商缺乏此类大规模量产验证场景，工艺迭代速度受限。

　　高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术正成为推动制程迭代的核心引擎，其核心价值在于通过光学系统的升级，破解了传统光刻技术在精细图案制备上的局限。High-NA EUV不仅是实现2nm及更先进节点量产的关键支撑，更将重塑全球半导体制造的竞争格局与生产流程。作为当前0.33 NA EUV技术的下一代升级方向，High-NA EUV通过将光学系统数值孔径提升至0.55，实现了分辨率提升，为半导体产业突破现有工艺瓶颈、满足AI等高端应用对算力与能效的极致需求提供了解决方案。与现有EUV技术相比，High-NA EUV能够以单次曝光完成传统EUV需要多次光刻才能实现的精细图案，大幅降低了工艺复杂度与良率损耗风险。能够以单次曝光完成传统EUV需要多次光刻才能实现的精细图案，大幅降低了工艺复杂度与良率损耗风险。

　　垄断等核心瓶颈日益凸显，为纳米压印技术（Nanoimprint Lithography, NIL）的产业化突破创造了关键契机，使其成为全球半导体产业重点布局的EUV潜在替代方案，为光刻技术路线提供了多元化选择。日本厂商佳能（Canon）近十多年来一直在与日本光罩等半导体零组件制造商大日本印刷株式会社（DNP）合作研发纳米压印工艺。纳米压印技术直接通过压印形成图案，在晶圆上只压印1次，就可以在特定的位置形成复杂的2D或3D电路图，不仅非常便捷，还能在无需EUV光刻机支持的情况下实现5nm制程，同时还能极大地降低设备采购成本及芯片制造成本。随着制程工艺进入埃米级别，ASML的High NA EUV光刻设备将会带来更高的制造成本，如果纳米压印技术也能够推进到埃米级，那么其竞争力无疑将会进一步凸显。

　　尽管光刻机国产化率不足1%，但在整机与核心零部件环节均取得阶段性突破。中芯国际已启动首款国产深紫外（DUV）光刻机测试，该设备由上海初创企业宇量昇制造，采用浸没式技术，初步测试结果显示可实现28nm级芯片生产，更有望通过多重图案化技术推进7nm甚至5nm芯片试产，后续检验报告进一步验证其良率达92%、产能利用率85%，具备商业化量产潜力。核心零部件领域，2020年华卓精科自主研发的双工件台实现量产应用，打破ASML在该领域的长期垄断；2025年哈尔滨工业大学成功研制13.5nm波长EUV光源，中国科学院上海光机所实现全固态深紫外光源突破，将国内芯片工艺验证能力推进至3nm理论极限，同时实现13.5nm极紫外光源250W的实验室突破。未来，国产光刻机将持续攻坚核心技术，加速EUV光源功率提升、高精度光学系统优化等关键技术突破，并持续推进技术迭代。